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商品詳情
| 產品參數 | |||
|---|---|---|---|
| 型號 | MEK150-04DA | ||
| 工作溫度 | -25 140 | ||
| 半導體材料 | 硅Si | ||
| 封裝方式 | 金屬封裝 | ||
| 正向電壓降 | 1200V | ||
| 擊穿電壓 | 1200V | ||
| 最大反向工作電壓 | 1200V | ||
| 額定整流電流 | 150A | ||
| 最大反向漏電流 | 150A | ||
| 加工定制 | 否 | ||
| 是否進口 | 是 | ||
| 封裝 | 標準封裝 | ||
| 批號 | 22 | ||
| 工作環境 | 室內式 | ||
| 數量 | 999 | ||
| 品牌 | 艾賽斯 | ||
產品型號VBO21-12NO7
制造商編號3438475描述IXYS - VBO21-12NO7 - Diode Module, 1.2 kV 21A, Dual SeriesProduct Range-
Forward Current If21A
Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max1.2
Forward Voltage VF Max
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蘇州新杰邦電子技術有限公司代理功率半導體產品及配套器件、是功率半導體行業企業之一。公司憑借多年的從業經驗、不懈的開拓精神及
良好的商業信譽，在電力電子行業樹立了良好的企業品牌形象，同時硅晶與多家電力電子行業企業和上市公司長期保持著穩定互信的合作關
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