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商品詳情
| 產品參數 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 模塊 | ||
| 產品特性 | 電子元件 | ||
| 封裝 | 標準 | ||
| 批號 | 22 | ||
| IGBT類型 | IGBT | ||
| 配置類型 | 標準 | ||
| 集射極擊穿電壓(VCEO) | 1200V | ||
| 最大集電極電流(Icm) | 75A | ||
| 集電極截止電流 | 75A | ||
| 最大耗散功率 | 280mW | ||
| 工作溫度范圍 | -40 125 | ||
| 安裝類型 | 標準 | ||
| 應用領域 | 電工電氣 | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號 | BSM75GD120DN2 | ||
       產品型號 | BSM75GD120DN2 |
| 制造商編號 | 641-BSM75GD120DN2 |
| 描述 | IGBT Modules 1200V 75A 3-PHASE |
| 產品種類 | IGBT 模塊 |
| 產品 | IGBT Silicon Modules |
| 配置 | Hex |
| 集電極—發射極電壓 VCEO | 1200 V |
| 集電極—射極飽和電壓 | 2.5 V |
| 在25 C的連續集電極電流 | 103 A |
| 柵極—射極漏泄電流 | 320 nA |
| 功率耗散 | 520 W |
| 工作溫度 | 150 C |
| 封裝 / 箱體 | EconoPACK 3A |
| 柵極/發射極電壓 | 20 V |
| 安裝風格 | Screw |
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