.jpg "DIODES場(chǎng)效應(yīng)管2N7002W-7-FMOSFET60V200mW")
DIODES場(chǎng)效應(yīng)管2N7002W-7-FMOSFET60V200mW
產(chǎn)品價(jià)格：￥0.0880（人民幣）
商鋪名稱(chēng)：深圳市華裕輝電子有限公司
聯(lián)系人：蔡少濱（先生）
聯(lián)系手機(jī)：
固定電話(huà)：
企業(yè)郵箱：szhuayuhui@163.com
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)新亞洲電子市場(chǎng)二期N1B028
郵編：518000
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商品詳情
| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | DIODES | ||
| 封裝 | SOT-23 | ||
| 批號(hào) | 20 | ||
| 數(shù)量 | 60000 | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ||
| 產(chǎn)品種類(lèi) | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安裝風(fēng)格 | SMD/SMT | ||
| 封裝 / 箱體 | SOT-323-3 | ||
| 晶體管極性 | N-Channel | ||
| 通道數(shù)量 | 1 Channel | ||
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 60 V | ||
| Id-連續(xù)漏極電流 | 115 mA | ||
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻 | 13.5 Ohms | ||
| Vgs - 柵極-源極電壓 | - 20 V | ||
| 20 V | |||
| Vgs th-柵源極閾值電壓 | 1 V | ||
| 最小工作溫度 | - 55 C | ||
| 最大工作溫度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 200 mW | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 系列 | 2N7002W | ||
| 配置 | Single | ||
| 正向跨導(dǎo) - 最小值 | 80 mS | ||
| 高度 | 1 mm | ||
| 長(zhǎng)度 | 2.2 mm | ||
| 晶體管類(lèi)型 | Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間 | 7 ns | ||
| 典型接通延遲時(shí)間 | 1.35 mm | ||
| 寬度 | 6 mg | ||
| 可售賣(mài)地 | 全國(guó) | ||
| 型號(hào) | 2N7002W-7-F | ||
.jpg)
技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | DIODES |
| 型號(hào)： | 2N7002W-7-F |
| 封裝： | SOT-23 |
| 批號(hào)： | 20 |
| 數(shù)量： | 60000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 產(chǎn)品種類(lèi)： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-323-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 115 mA |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 13.5 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 最大工作溫度： | 150 C |
| Pd-功率耗散： | 200 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | 2N7002W |
| 配置： | Single |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 80 mS |
| 高度： | 1 mm |
| 長(zhǎng)度： | 2.2 mm |
| 晶體管類(lèi)型： | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間： | 7 ns |
| 典型接通延遲時(shí)間： | 1.35 mm |
| 寬度： | 6 mg |
