商鋪名稱：天津市電纜總廠第一分廠
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商品詳情
滁州鎧裝DP電纜含稅價格滁州鎧裝DP電纜
一﹑產(chǎn)品用途
本產(chǎn)品適用于U0/U 300/300V信號控制線路輸送電信號使用。
二﹑執(zhí)行標準
標準：JB/T8734-2008
主要用于存儲程序中的變量。在單芯片單片機中（*1），常常用SRAM作為內(nèi)部RAM。SRAM允許高速訪問，內(nèi)部結構太復雜，很難實現(xiàn)高密度集成，不適合用作大容量內(nèi)存。除SRAM外，DRAM也是常見的RAM。DRAM的結構比較容易實現(xiàn)高密度集成，比SRAM的容量大。將高速邏輯電路和DRAM安裝于同一個晶片上較為困難，一般在單芯片單片機中很少使用，基本上都是用作外圍電路。（*1）單芯片單片機是指：將CPU，ROM，RAM，振蕩電路，定時器和串行I/F等集成于一個LSI的微處理器。
三、使用特性
1.電纜長期使用溫度：-40～70℃
2.zui低環(huán)境溫度：固定敷設-40℃非固定敷設-15℃。
3.電纜敷設溫度： 不低于0℃
4.彎曲半徑應不小于電纜直徑的10倍。
四、型號、名稱及用途
型號：RVVP
名稱：銅芯聚氯乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅絲編織屏蔽輕型護套軟電纜
用途：用于U0/U 300/300V信號控制線路輸送電信號使用
一﹑產(chǎn)品用途
本產(chǎn)品適用于U0/U 300/300V信號控制線路輸送電信號使用。
二﹑執(zhí)行標準
標準：JB/T8734-2008
主要用于存儲程序中的變量。在單芯片單片機中（*1），常常用SRAM作為內(nèi)部RAM。SRAM允許高速訪問，內(nèi)部結構太復雜，很難實現(xiàn)高密度集成，不適合用作大容量內(nèi)存。除SRAM外，DRAM也是常見的RAM。DRAM的結構比較容易實現(xiàn)高密度集成，比SRAM的容量大。將高速邏輯電路和DRAM安裝于同一個晶片上較為困難，一般在單芯片單片機中很少使用，基本上都是用作外圍電路。（*1）單芯片單片機是指：將CPU，ROM，RAM，振蕩電路，定時器和串行I/F等集成于一個LSI的微處理器。
三、使用特性
1.電纜長期使用溫度：-40～70℃
2.zui低環(huán)境溫度：固定敷設-40℃非固定敷設-15℃。
3.電纜敷設溫度： 不低于0℃
4.彎曲半徑應不小于電纜直徑的10倍。
四、型號、名稱及用途
型號：RVVP
名稱：銅芯聚氯乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅絲編織屏蔽輕型護套軟電纜
用途：用于U0/U 300/300V信號控制線路輸送電信號使用
