IGBTABB模塊FS225R12KE3/AGDR-81CS
產(chǎn)品價(jià)格：￥1888.00（人民幣）
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商品詳情
若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級(jí)的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。
IGBTABB模塊FS225R12KE3/AGDR-81CS，ABB IGBT德國(guó)英飛凌、瑞士ABB
如何查看ABB變頻器ISU模塊內(nèi)IGBT哪項(xiàng)有故障？
除非IGBT有明顯的變化，比方說(shuō)燒黑了之類的，否則，單憑肉眼，是無(wú)法看出IGBT是否OK的話。要想做出準(zhǔn)確的判斷的話，需要將IGBT拆下來(lái)，并用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)量。
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