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特價(jià)供應(yīng)3BSE004203R1
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產(chǎn)品價(jià)格:¥9.00(人民幣)
  • 供應(yīng)數(shù)量:1
  • 發(fā)貨地:福建-福州市
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  • 免費(fèi)會(huì)員
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    認(rèn)證類型:企業(yè)認(rèn)證
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    商品詳情

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。

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